N6 SiC功率？槲1200V半桥SiC MOSFET功率模块，？榈纪ǖ缱璋2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，满足车用系统高功率密度的需求。？槲肭诺缏罚诓坎捎枚郤iC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流。模块采用低电感、高效散热封装设计，？楣β驶芈吩由⒌绺行∮6.5nH。？椴捎没费踝⑺芊庾肮ひ眨琾infin水冷散热基板直接水冷散热，模块内部采用高热导率、高可靠性的AMB散热绝缘基板。SiC芯片采用双面银浆烧结及铜线键合连接，优先增加模块使用寿命，？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可长期工作在175℃结温环境。