P6 SiC MOSFET功率？椋缪沟燃逗1200V和750V两种类型，1200V？镽DS(on)包含有2.9mΩ，2.2mΩ，750V？镽DS(on)包含有1.7mΩ，1.3mΩ；内部采用多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流；模块采用低电感设计避免了振荡，1200V输出电流为480-640A，750V输出电流为485-630A；SiC芯片采用双面银浆烧结和铜线键合工艺，Si3N4的AMB散热绝缘基板和PINFIN散热基板保证良好的散热能力；？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可长期工作在175℃结温环境。